產(chǎn)品分類
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產(chǎn)品編號:OG-silicon wafer
產(chǎn)品簡介: 單晶硅是綜合性價比優(yōu)良的紅外光學(xué)材料,用來制作紅外光學(xué)鏡片,主要應(yīng)用于熱成像系統(tǒng)、前視紅外、移動傳感器等高技術(shù)領(lǐng)域。單晶硅還是優(yōu)良的激光放射鏡材料,相比較于其他反射鏡材料如銅、鉬等,單晶硅由于其良好的導(dǎo)熱性、優(yōu)良的熱穩(wěn)定性、較低的熱膨脹系數(shù)以及密度相對較低、成本低、易于精密加工等優(yōu)勢,目前是二氧化碳激光反射鏡首選的基底材料。
光學(xué)特性:
直拉單晶硅(CZ)在9.1μm有強(qiáng)烈的氧吸收峰,用作透射級材料時,主要用于第一個紅外光學(xué)窗口3-5μm波段。直拉單晶硅元件厚度對1.2-6.7μm波段的光學(xué)透過率影響不大,其平均紅外透過率超過50%。
區(qū)熔單晶硅(FZ)由于其含氧量遠(yuǎn)低于直拉單晶硅(CZ),其紅外透過率曲線比較平直,可以用于第二個紅外窗口7-14μm波段,此波段元件的厚度成為影響光學(xué)透過率的關(guān)鍵參數(shù),厚度<1mm的硅片,平均的光學(xué)透過率超過50%。
光學(xué)特性參數(shù):
透射光波段: 1.2-15μm
折射率 : 3.4223(5μm波段)
反射損失 : 51.0%(5μm波段,兩面)
吸收系數(shù) : 1x10-3cm-1(3μm波段)
dN/dT : 160x10-6/℃
dN/dμ : 10.4μm
產(chǎn)品規(guī)格:
晶體生長方式分類:直拉單晶硅(CZ) 區(qū)熔單晶硅(FZ)
晶體的晶向分類 : 100 111
摻雜元素型號分類: N型 P型
純度 : >99.999%(5N)
電阻率 : 1-100Ω·cm
形狀 : 任意定制
光學(xué)級單晶硅不僅對材料的純度要求很高,對材料的加工精度也同樣要求嚴(yán)苛。我司基于長期的加工經(jīng)驗和精密的加工設(shè)備、良好的檢測手段,能夠加工各種形狀、精度要求極高的硅光學(xué)部件,能夠滿足各種嚴(yán)苛的使用要求。